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型號：PUME-FU-DA
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：耐高溫，適合高溫操作(50~70度)，可改善粗化片之黑白電極色差現象
型號：PUME-FU-DA Plus
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：適合低溫操作(40~60度)，鍍金速率較快，穩定性較高，壽命長，可同時改善粗化片與平面片與PSS片之黑白電極色差現象
型號：PUME-FU-DA Mida
◆LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：適合低溫操作(40~60度)，適用於大面積鍍金與細線寬鍍金，可大幅提升鍍金厚度均勻性以及邊導角厚度差異，鍍金厚度若為40000埃，均勻性可控制在500埃以內，針對開口為1微米以內的開孔或線寬，可以達到鍍金圖案完整。
型號：PUME-FU-DA PR
◆LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：適合低溫操作(40~60度)，適用於表面有光阻結構之產品。
型號：PUME-FU-DA AE
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：耐高溫，適合高溫操作(50~70度)，針對底材含有Cu/Al/Fe/Ni/Zn/Ag之表面可以具有抗腐蝕及抗氧化功能
型號：PUME-FU-DA ITG
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含：
。S劑-表面處理劑
。X劑-金屬錯合劑
。R劑-濃度平衡劑
。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性：耐高溫，適合高溫操作(50~70度)，穩定性較高，壽命長，針對底材含有Cu/Al/Fe/Ni/Zn/Ag之表面可以具有抗腐蝕及抗氧化功能，適用於表面有光阻結構之產品
本公司為此產品與製程之發明法人，擁有製程專利，為業界技術領先者以及市佔率第一，量產技術成熟，並因為開發此技術榮獲經濟部SBIR專案補助(小型企業創新研發專案)，一年金額330萬，專案名稱：LED無電化學離子鍍金製程與設備開發案，同時因為執行結果與進度優良，獲經濟部提報為2010年績效優良廠商,詳細技術資料請參考技術專區-無電化學離子鍍金製程介紹。
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